projekt Pana Pawła.docx

(322 KB) Pobierz

POLITECHNIKA RZESZOWSKA

Im. Ignacego Łukasiewicza

 

 

Wydział Elektrotechniki i Informatyki

Katedra Energoelektroniki i Elektroenergetyki

 


Logoprz2.gif

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

UKŁADY ENERGOELEKTRONICZNE

 

 

 

Wykonał:

Paweł Płaziński

Rzeszów 2015

Nr52

Zaprojektować przekształtnik DC/AC, dobrać tranzystory i diody zwrotne przekształtnika, dobrać silnik prądu zmiennego do napędu obiektu przemysłowego podanej mocy znamionowej oraz zakresie zmian prędkości obrotowej. Obliczyć układ przepięciowy chroniący tranzystory przed napięciami przekraczającymi napięcia dopuszczalne.

Dane:

·         znamionowa moc czynna obciążenia: Pn=1,0 kW

·         zakładany współczynnik mocy obciążenia cosφ 0,85

·         znamionowe napięcie obwodu pośredniczącego: Un=250V

·         zakładane napięcie wyjściowe: Uwy=230V

·         liczba faz: lf=3

·         częstotliwość łączeń tranzystorów: fn=18kHz

·         zakres zmian prędkości obrotowej: n1-n2=500-1900 obr/min

 

 

1. Do układu dobrałem następujemy silnik:

Silnik Welmot MY80B-2





2.  Dobór elementów przełączających

I=1 kW230V*0,85=5,11A

Ion=I*1,1=5,63A

ku*Un=2*450=900V

D=250450=0,556

It=D*Ion=0,556*5,63=3,13A

 

 

 

IGBT STGB3NC120HD

 

Eon=360 uJ

Eoff=620uJ

ETOTAL=980uJ

Pdynamiczne=fn*ETOTAL=18kHz*980uJ=17,64W

Pstatyczne=D*Vce*It=0,667*2,2*,244=3,58W

Pcałkowite=Pdynamiczne+Pstatyczne=17,64+3,58=21,22W

 

 

MOSFET  SCT2450KE

Eon=47 uJ

Eoff=17J

ETOTAL=64uJ

Pdynamiczne=fn*ETOTAL=18kHz*64uJ=1,152W

Pstatyczne=D*It2*Ron=0,667*2,442*0,450=1,79W

Pcałkowite=Pdynamiczne+Pstatyczne=1,152+1,79=2,94 W

Tranzystor typu MOSFET SCT2450KE ma mniejsze starty całkowite.

3.Dobór elementów zabezpieczających

Cs≥LI2U02

Cs≥100*10-92,444502=1,2pF

Dobieram CCH-8P2 Kondensator: ceramiczny; 8,2pF; 500V;

R≤ton10*Cs

R≤19*10-910*1*10-12=1900 Ω

PRCZ=C*U2*fn=8,2*10-12*4502*14*103=0,0233W

 

Dobieram M0.6W-110R Rezystor: metal film; THT; 110Ω; 0,6W; ±1%; Ø2,5x6,8mm; 50ppm/°C

4.Dobór radiatora

MOSFET SCT2450KE

Rth-rezystacja termiczna

RTHjc-rezystacja złaczem tranzystora a obudową1,77 °C/W

RTHcs-rezystacja między tranzysotem a radiatorem 0.42 °C/W

∆P=2,94 W

Tjmax=100 °C

Totoczenia=40 °C

 

RTHra=Tjmax-Totoczenia∆P-RTHjc-RTHcs

RTHra=100-402,94-1,77-0,42=18 °C/W

 



Dobieram radiator UA17-TO220 o Rthra równym 17 °C/W, radiatory przystosowane do pracy z obudową TO-220.

 

 

 

 

 

 

 

 

5. Schemat układu przekształtnika DC/AC wykonany w programie PSIM.

6. Wykaz elementów

4x tranzystor typu MOSFET SCT2450KE

4x radiator UA17-TO220

4x kondensator CCH-8P2 

4xrezystor:M0.6W-110R

 

Zgłoś jeśli naruszono regulamin